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平面毒性 CO 氣體傳感器K2 型一氧化碳檢測用平面半導體氣敏元件采用優(yōu)良的平面厚膜生產(chǎn)工藝，由加熱器以及微型 Al2O3陶瓷基片上形成的金屬氧化物半導體材料構成，用電極引線引出，封裝在金屬管座、管帽內(nèi)。采用高低溫循環(huán)檢測方式檢測一氧化（1.5V），高溫（5.0V）時清洗低溫時吸附的雜質(zhì)氣體。